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SBCP56-16T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

SBCP56-16T1G
廠商型號

SBCP56-16T1G

參數(shù)屬性

SBCP56-16T1G 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

功能描述

NPN Silicon Epitaxial Transistor
TRANS NPN 80V 1A SOT223

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

74.89 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 14:14:00

SBCP56-16T1G規(guī)格書詳情

SBCP56-16T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的SBCP56-16T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

NPN Silicon Epitaxial Transistor

These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT?223 package, which is designed for medium power surface mount applications.

Features

? High Current: 1.0 A

? The SOT?223 package can be soldered using wave or reflow.

The formed leads absorb thermal stress during soldering,

eliminating the possibility of damage to the die

? Available in 12 mm Tape and Reel

Use BCP56T1G to Order the 7 inch/1000 Unit Reel

Use BCP56T3G to Order the 13 inch/4000 Unit Reel

? PNP Complement is BCP53T1G

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SBCP56-16T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    130MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT223

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi
24+
TO-261-4,TO-261AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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