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SDR1184	文件：97.03 Kbytes Page：2 Pages	35Amp50-600Volt5nsecSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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SDR1184RTXV	文件：97.03 Kbytes Page：2 Pages	35Amp50-600Volt5nsecSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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SDR1184TX	文件：97.03 Kbytes Page：2 Pages	35Amp50-600Volt5nsecSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR1184TXV	文件：97.03 Kbytes Page：2 Pages	35Amp50-600Volt5nsecSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
T-1184G	文件：25.57 Kbytes Page：1 Pages	ADSLTransformer	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TA1184A	文件：377.99 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter1227.6MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TSB1184	文件：314.82 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184A	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184A	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACP	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPQ	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPR	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPRO	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPS	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184CP	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

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更多SC1184ASW供應(yīng)商更新時間2025-1-14 16:00:00

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