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SCOCXOVS-XR110MHZ	文件：328 Kbytes Page：3 Pages	Sine Wave Output 10 to 54 MHz Tight stability	MICROCRYSTAL MICORO CRYSTAL SWITZERLAND	MICROCRYSTAL
SCS110AG	文件：136.11 Kbytes Page：1 Pages	SiCSchottkyBarrierDiodes	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110AG	文件：1.14066 Mbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110AG	文件：114.71 Kbytes Page：2 Pages	PartNo.Explanation	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110AG	文件：442.52 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110AGC	文件：442.52 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110AM	文件：502.72 Kbytes Page：4 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110K	文件：415.2 Kbytes Page：5 Pages	IntelIndustrialSolutionsSystemConsolidationSeries ProductOverview Agrowingtrendinindustrialautomationistousevirtualizationtechnologytocombinewhatwerepreviouslydiscretesubsystemsintoasinglesystem.TheIntel?IndustrialSolutionsSystemConsolidationSeriesgreatlysimplifiesthiseffortbypre-integratingkeysoftwareandha	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel
SCS110KG	文件：183.34 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features 3)High-speedswitchingpossible 2)Reducedtemperaturedependence 1)Shorterrecoverytime	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
SCS110KGC	文件：184.1 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Features 1)Shorterrecoverytime 2)Reducedtemperaturedependence 3)High-speedswitchingpossible Construction Siliconcarbideepitaxialplanertype	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
S-CSZA110A	文件：367.68 Kbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionZenerVoltageRegulator1.0WattSteadyState FEATURES ?1Wzenervoltageregulatordiodes ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ?Guardingforovervoltageprotection ?Idealforsurface-mountapplications ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsat terminals ?Wedeclaretha	LRCLeshan Radio Company 樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司	LRC
SDB110	文件：101.02 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260oC/10	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
SDB110	文件：408.94 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
SDB110	文件：254.36 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260°C/10	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SDB110Q	文件：221.77 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	AUK AUK corp	AUK
SDB110Q	文件：175.7 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeSchottkyBarrierDiode GeneralDescription TheSDB110QSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh-speedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductions.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhand-heldandportableapplicationswherespace	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
SDB110Q	文件：33.64 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ?Lowforwardvoltage:VF=Max.0.4V(@IF=10mA) ?Lowreversecurrent:IR=Max.0.5?(@VR=5V) ?Highspeedswitchingapplication	AUK AUK corp	AUK
SDB110Q	文件：172.9 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeSchottkyBarrierDiode	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
SDB110S	文件：345.5 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
SDBS110	文件：101.02 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260oC/10	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	SCOCXOVT	GOLLEDGE	23+	NA	39960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多SCOCXOVS-XR110MHZ供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 18:59:00

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