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SCT011H75G3AG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SCT011H75G3AG |
參數(shù)屬性 | SCT011H75G3AG 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET 750 V 110A H2PAK7 |
功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H2PAK-7 package |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | H2PAK-7 |
文件大小 |
395.49 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-25 23:00:00 |
SCT011H75G3AG規(guī)格書詳情
SCT011H75G3AG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的SCT011H75G3AG晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Features
? AEC-Q101 qualified
? Very low RDS(on) over the entire temperature range
? High speed switching performances
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Source sensing pin for increased efficiency
Applications
? Main inverter (electric traction)
? DC/DC converter for EV/HEV
? On board charger (OBC)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with
low capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
SCT011H75G3AG
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
散裝
- 描述:
MOSFET 750 V 110A H2PAK7
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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AIM |
23+ |
8215 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
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ST |
22+ |
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ST |
2023 |
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STMICROELECTRONICS |
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10000 |
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ST |
22+ |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道 |
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ST |
22+ |
BGA |
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原裝正品碳化硅 |
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