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SCT070W120G3-4

Marking:SCT70W120G34;Package:HiP247-4;Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Switchingmodepow

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SCT070W120G3-4AG

Marking:070W120G3AG;Package:HiP247-4;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features ?AEC-Q101qualified ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitance ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Maininverter(electrictraction) ?

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
23+
HiP247-4
100000
全新原裝
 詢價
ST
22+
BGA
1000
原裝正品碳化硅
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更多SCT070W120G3-4供應(yīng)商 更新時間2024-11-28 16:20:00

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