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SCTH100N120G2-AG中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SCTH100N120G2-AG
廠商型號

SCTH100N120G2-AG

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

絲印標識

100N120AG

封裝外殼

H2PAK-7

文件大小

439.59 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 10:10:00

SCTH100N120G2-AG規(guī)格書詳情

Features

? AEC-Q101 qualified

? High speed switching performance

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Low capacitance

Applications

? Traction inverters

? DC-DC converters

? Solar inverters

? OBC

Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device

features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching

performance. The variation of switching loss is almost independent of junction

temperature.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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