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SCTH100N120G2-AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SCTH100N120G2-AG
廠商型號(hào)

SCTH100N120G2-AG

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

絲印標(biāo)識(shí)

100N120AG

封裝外殼

H2PAK-7

文件大小

439.59 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-10 14:11:00

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SCTH100N120G2-AG規(guī)格書詳情

Features

? AEC-Q101 qualified

? High speed switching performance

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Low capacitance

Applications

? Traction inverters

? DC-DC converters

? Solar inverters

? OBC

Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device

features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching

performance. The variation of switching loss is almost independent of junction

temperature.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
23+
原廠原封
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ST/TESLA
2022+
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