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SCTW100N65G2AG

Marking:SCT100N65G2AG;Package:HiP247;Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247? package

Features ?AEC-Q101qualified ?Veryhighoperatingtemperaturecapability(TJ=200°C) ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Lowcapacitance Applications ?Tractionforinverters ?DC-DCconverters ?OBC Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETdevicehasbeende

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多SCTW100N65G2AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00