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SCTW35N65G2V中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SCTW35N65G2V
廠商型號(hào)

SCTW35N65G2V

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247 package

絲印標(biāo)識(shí)

SCTW35N65G2V

封裝外殼

HiP247

文件大小

205.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-8 22:59:00

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SCTW35N65G2V規(guī)格書詳情

Features

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)

Applications

? Switching mode power supply

? DC-DC converters

? Industrial motor control

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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