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SCTW35N65G2VAG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SCTW35N65G2VAG |
| 功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | HiP247 |
| 文件大小 |
206.14 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-18 12:56:00 |
SCTW35N65G2VAG規(guī)格書(shū)詳情
Features
? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitance
Applications
? Switching mode power supply
? EV chargers
? DC-DC converters
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
HiP247? |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
21+ |
HIP247 |
610880 |
本公司只售原裝 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
HIP-247 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
一級(jí)代理 |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
HIP-247 |
36900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
21+ |
HIP247 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) |
