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SCTW90N65

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ·Extremelylowgatechargeandinputcapacitances APPLICATIONS ·Powersupplyforrenewableenergysystems ·HighfrequencyDC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SCTW90N65G2V

Marking:SCT90N65G2V;Package:HiP247;Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C)in an HiP247 package

Features ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitances Applications ?Switchingapplications ?Powersupplyforrenewableenergysystems ?HighfrequencyDC-DCconverte

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SIHS90N65E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法
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HIP-247-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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HIP247-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個朋友
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ST/意法半導(dǎo)體
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更多SCTW90N65供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 11:02:00