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SD1127分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

SD1127
廠商型號(hào)

SD1127

參數(shù)屬性

SD1127 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS
RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

文件大小

105.43 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-24 22:30:00

SD1127規(guī)格書詳情

SD1127屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的SD1127晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

DESCRIPTION:

THE SD1127 IS A 12.5 VOLT SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR DESIGNED FOR ECONOMICAL VHF COMMUNICATIONS. THE TRANSISTOR CHIP IS MOUNTED ON A BERYLLIUM OXIDE TAB TO ISOLATE THE COLLECTOR LEAD ALLOWING A GROUNDED EMITTER CONFIGURATION FOR HIGH GAIN AND EXCELLENT HEAT DISSIPATION.

Features

? DESIGNED FOR VHF MILITARY AND COMMERCIAL EQUIPMENT

? 4.0 WATTS (MIN) WITH GREATER THAN 10 dB GAIN

? GROUNDED EMITTER CONFIGURATION

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SD1127

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    175MHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    8W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    640mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

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