SD1127分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SD1127 |
| 參數(shù)屬性 | SD1127 封裝/外殼為TO-205AD，TO-39-3 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHP FM MOBILE APPLICATIONS |
| 文件大小 |
87.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-24 22:30:00 |
SD1127規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The SD1127 is a epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for VHP mobile communications. The chip of this transistor is mounted on a beryllia pill to isolate the collector lead and ground the emitter lead for high gain performance
Features
? 175MHz
? 12.5 VOLTS
? POUT = 4.0 W MINIMUM
? GP=12.0dB
? GROUNDED EMITTER
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
SD1127
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
18V
- 頻率 - 躍遷：
175MHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
8W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
640mA
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-39
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
2020+ |
TO-39 |
80000 |
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詢價 | ||
APT |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
MICROSEMI |
1313+ |
None |
7 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
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詢價 | ||||
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21+ |
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詢價 | ||||
st |
23+ |
高頻管 |
200 |
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詢價 | ||
MSC |
22+ |
TO-39 |
2275 |
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詢價 | ||
Microsemi |
24+ |
N/A |
2800 |
專注宇航級IC進口原裝假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-59 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
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詢價 |
