SD1224分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SD1224 |
| 參數(shù)屬性 | SD1224 封裝/外殼為M135；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 |
| 功能描述 | RF AND MICROWAVE TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | M135 |
| 文件大小 |
90.14 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-5 19:08:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
SD1224三極管、SD1224晶體管、SD1224晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
65V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
3DK106C,
- 最大耗散功率：
60W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
65
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
60
SD1224規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The SD1224 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for 28 V FM Class C RF amplifiers utilized in ground station transmitters. This device utilizes ballasted emitter resistors and improved metallization systems to achieve optimum load mismatch capability.
Features
? 175 MHz
? 28 VOLTS
? CLASS C
? COMMON EMITTER
? EFFICIENCY 60 MIN.
? POUT = 40 W MIN.
? GP = 7.6 dB GAIN
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
SD1224
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
35V
- 頻率 - 躍遷：
175MHz
- 增益：
7.6dB
- 功率 - 最大值：
60W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
5A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M135
- 供應(yīng)商器件封裝：
M135
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
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