SD1224分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
SD1224 |
參數(shù)屬性 | SD1224 封裝/外殼為M135;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 |
功能描述 | RF AND MICROWAVE TRANSISTORS |
封裝外殼 | M135 |
文件大小 |
90.14 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADPOW |
中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-17 17:00:00 |
人工找貨 | SD1224價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
SD1224三極管、SD1224晶體管、SD1224晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
- 封裝形式:
- 極限工作電壓:
65V
- 最大電流允許值:
5A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
- 可代換的型號(hào):
3DK106C,
- 最大耗散功率:
60W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
NO
- vtest:
65
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
60
SD1224規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The SD1224 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for 28 V FM Class C RF amplifiers utilized in ground station transmitters. This device utilizes ballasted emitter resistors and improved metallization systems to achieve optimum load mismatch capability.
Features
? 175 MHz
? 28 VOLTS
? CLASS C
? COMMON EMITTER
? EFFICIENCY 60 MIN.
? POUT = 40 W MIN.
? GP = 7.6 dB GAIN
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
SD1224
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
35V
- 頻率 - 躍遷:
175MHz
- 增益:
7.6dB
- 功率 - 最大值:
60W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 500mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
5A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
M135
- 供應(yīng)商器件封裝:
M135
- 描述:
RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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