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SD1224分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

SD1224
廠商型號

SD1224

參數(shù)屬性

SD1224 封裝/外殼為M135;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS
RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

封裝外殼

M135

文件大小

94.99 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 16:17:00

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晶體管資料

  • 型號:

    SD1224-2

  • 別名:

    SD1224三極管、SD1224晶體管、SD1224晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    65V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

    3DK106C,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    65

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    60

SD1224規(guī)格書詳情

SD1224屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的SD1224晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

DESCRIPTION

The SD1224 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for 28 V FM Class C RF amplifiers utilized in ground station transmitters. This device utilizes ballasted emitter resistors and improved metallization systems to achieve optimum load mismatch capability.

KEY FEATURES

? 175 MHz

? 28 Volts

? Class C

? Common Emitter

? Efficiency 60 Min.

? POUT = 40 W Min.

? GP = 7.6 dB Gain

APPLICAITONS/BENEFITS

? VHF FM Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SD1224

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    35V

  • 頻率 - 躍遷:

    175MHz

  • 增益:

    7.6dB

  • 功率 - 最大值:

    60W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    M135

  • 供應商器件封裝:

    M135

  • 描述:

    RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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