SD1477分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SD1477 |
參數(shù)屬性 | SD1477 封裝/外殼為M111;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V M111 |
功能描述 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
封裝外殼 | M111 |
文件大小 |
18.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ASI |
中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-29 23:03:00 |
SD1477規(guī)格書詳情
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI SD1477is Designed for 12.5 V, Class C High-Band Applications up to 175 MHz.
FEATURES:
? Internal Input Matching Network
? PG= 6.0 dB at 100 W/175 MHz
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
SD1477
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
18V
- 增益:
6dB
- 功率 - 最大值:
270W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 5A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
20A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
M111
- 供應(yīng)商器件封裝:
M111
- 描述:
RF TRANS NPN 18V M111
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST |
24+ |
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