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U2705

HEXFETPOWERMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

UC2705

HIGHSPEEDPOWERDRIVER

TI1Texas Instruments

德州儀器

UC2705

HighSpeedPowerDriver

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

UC2705D

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德州儀器

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UC2705N

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TI1Texas Instruments

德州儀器

UC2705T

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德州儀器美國德州儀器公司

UPA2705GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2702GRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=14.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) ?L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多SDNS-2705供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 10:16:00