SDS065J006C3中文資料三安半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	SDS065J006C3
功能描述	3 rd Generation 650 V/ 6 A SiC Schottky Barrier Diode
絲印標識	DS065006C3
封裝外殼	TO-220-2L
文件大小	1.09746 Mbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Sanan Optoelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡稱	SANAN【三安半導體】
中文名稱	三安光電股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二
更新時間	2025-1-10 16:21:00

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)

N o reverse recovery

High speed switching perfor mance

Temperature independent switching behavior

System cost / size savings due to reduced cooling requirements

J unction temperature range from 55 to 175

RoHS compliant

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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