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SDT3N03

3.5A, 30V, RDS(ON) 55 m(ohm) Dual-N Enhancement Mode MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

MMDF3N03HD

DUALTMOSPOWERMOSFET4.1AMPERES30VOLTS

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors MiniMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Th

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMDF3N03HD

PowerMOSFET3Amps,30Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDJ3N03BJT

DUALBIPOLARPOWERTRANSISTORNPNSILICON30VOLTS3AMPERES

PlasticPowerTransistors SO–8forSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus) =30Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE =100Vdc(Min)@IC=1.0Adc =

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMDJ3N03BJT

PlasticPowerTransistorsSO??forSurfaceMountApplications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTSF3N03HD

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTSF3N03HD

SINGLETMOSPOWERMOSFET3.8AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.040OHM

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSSingleN-ChannelFieldEffectTransistor Micro8devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocesstoachievelowestpossibleon–resistancepersiliconarea.Theyarecapableofwithstandinghighener

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
SECOS
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更多SDT3N03供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 14:40:00