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SZNUF8152

8-ChannelEMIFilterwithIntegratedESDProtection

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TD-8152

MICROWAVENOISETUBES&NOISESOURCES

DESCRIPTION CPClare’sTDSeriesofgasdischargemicrowavenoisetubesandTNSeriesofgasdischargemicrowavenoisesourcesaretheelementinamicrowaveRFsystemthatallowsaccuratemeasurementsofthenoisefigureofthereceiveroritscomponents.Therequirementsofadeviceusedforma

Clare

Clare, Inc.

UPC8152TA

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS

FEATURES ?Lowcurrentconsumption:UPC8128TA;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TA;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TA;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V ?Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V ?Highefficiency:UPC8128TA;PO(1dB)=-4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TA;PO

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPC8152TA

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES

DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC8152TB

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS

FEATURES ?Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V ?Lowcurrentconsumption:UPC8128TB;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TB;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TB;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V ?Highefficiency:UPC8128TB;PO(1dB)=?4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TB;PO(1dB)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPC8152TB

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES

DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC8152TB

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS

DESCRIPTION TheμPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50?widebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC8152TB

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

CEL

California Eastern Labs

UPC8152TB

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES

DESCRIPTION TheμPC8128TB,μPC8151TBandμPC8152TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellularorcordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(eg1005size)whichcannotberealizedoninternal50

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPC8152TB

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS

CEL

California Eastern Labs

晶體管資料

  • 型號：

    SDT8152

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    功率開關(guān) （PSW）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    20A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    3DK109D,

  • 最大耗散功率：

    175W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    20

  • wtest：

    175

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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