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SFP9610

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:-10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):2.084Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFS9610

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):2.25Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFWI9610

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SIHF9610

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHF9610

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF9610S

PowerMOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHF9610S

AvailableinTapeandReel

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHFI9610G

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SKU9610

ADAPTADORYAMAICHIDEENCAPSULADOPLCC28ADIP28PINES

Descripción ConectorhembradepruebaparaICdeYamaichi,paraencapsuladoPLCC28

AGELECTRONICA

AG Electronica

SPB-9610LVG

3Gb/sMediumPower1-FibreSMVideoSFPTransceiver

OPTOWAY

Optoway Technology Inc

晶體管資料

  • 型號(hào):

    SDT9610

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    功率開(kāi)關(guān) (PSW)

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    225V

  • 最大電流允許值:

    50A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    3DD12E-T,

  • 最大耗散功率:

    350W

  • 放大倍數(shù):

    β=10-40

  • 圖片代號(hào):

    F-2

  • vtest:

    225

  • htest:

    999900

  • atest:

    50

  • wtest:

    350

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISC/固電
23+
TO-3
11200
原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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詢(xún)價(jià)
更多SDT9610供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 11:10:00