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SFP630	文件：803.38 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SIH630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SiHF630	文件：283.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630S	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL630	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHL630S	文件：226.54 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL630S	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?150°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIL630	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor Features ■RoHScompliant. ■Magneticallyshielded. ■Idealforpowersourcecircuits,DC-DCconverter,DC-ACinvertersinductorapplication. ■Inadditiontothestandardversionsshownhere,customizedinductorsareavailabletomeetyourexactrequirements.	deltaDelta Electronics, Inc. 臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司	delta
SIL630	文件：172.6 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor	deltaDelta Electronics, Inc. 臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司	delta
SL-630	文件：142.4 Kbytes Page：3 Pages	High/lowliquidlevelmonitor	TECTE Connectivity Ltd 泰科電子泰科電子有限公司	TEC
SLM-630	文件：23.13 Kbytes Page：1 Pages	MOLDED,SELF-RETAININGLEDMOUNT	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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SMK630	文件：498 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS DC-DCCONVERTERAPPLICATION HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS Features HighVoltage:BVDSS=200V(Min.) LowCrss:Crss=24pF(Typ.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) LowRDS(on):RDS(on)=0.4?(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
SMK630	文件：410.27 Kbytes Page：8 Pages	DC-DCCONVERTERAPPLICATION	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI

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更多SE630K供應(yīng)商更新時間2025-1-14 15:00:00

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