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SEMIX603GB066HDS中文資料賽米控丹佛斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SEMIX603GB066HDS
廠商型號(hào)

SEMIX603GB066HDS

功能描述

Trench IGBT Modules

文件大小

1.10399 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Semikron International
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Semikron賽米控丹佛斯

中文名稱

賽米控丹佛斯官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 11:40:00

SEMIX603GB066HDS規(guī)格書詳情

Features

? Homogeneous Si

? Trench = Trenchgate technology

? VCE(sat)with positive temperature coefficient

? UL recognised file no. E63532

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SEMIX603GB066HDS

  • 制造商:

    SEMIKRON

  • 功能描述:

    IGBT POWER MODULE, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, DC Collector

  • Current:

    720A, Collector Emitter Voltage

  • Vces:

    1.9V, Power Dissipation

  • Pd:

    40W, Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo:

    1V, Operating Temperature

  • Min:

    -40C, No. of

  • Pins:

    20 , RoHS

  • Compliant:

    Yes

  • 功能描述:

    POWER IGBT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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