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PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
EaseofParalleling | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Extremelyhighfrequencyoperation ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
0.2A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
3CK9B,
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.2
- wtest：
0.2
詳細參數(shù)
- 型號：
SF840
- 制造商：
LUGUANG
- 制造商全稱：
Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd
- 功能描述：
Super Fast Rectifiers
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MHCHXM |
23+ |
TO-220AC |
5000 |
全新原裝的現(xiàn)貨特價 |
詢價 | ||
TSC/臺半 |
1926+ |
TO-220AC |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
NA |
CAN |
1071 |
專營CAN鐵帽CDIP |
詢價 | |||
RECTRON |
23+ |
TO-252(DPAK) |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
GS |
TO |
22+ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
GS |
25+ |
TO |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
BYTES |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
DEC |
2020+ |
TO220 |
3450 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
MDD |
21+ |
TO-220AC |
12588 |
原裝正品,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
22+ |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 |
