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CEZ10R10A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,64A,RDS(ON)=9.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=15.5mW@VGS=6V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEZ10R10AL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,65A,RDS(ON)=9.4mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

SNN10R10LD

N-ChTrenchMOSFET

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

SNN10R10LF

N-ChTrenchMOSFET

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
東微
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更多SFG10R10PF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 10:04:00