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Power MOSFET PowerMOSFET 35V,25m?,11A,SingleN-Channel Features ?LowOn-Resistance ?HighSpeedSwitching ?LowGateCharge ?ESDDiode-ProtectedGate ?Pb-freeandRoHSCompliance | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
N-Channel Power MOSFET N-ChannelPowerMOSFET 600V,1.5A,8.1Ω,SingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET N-ChannelPowerMOSFET 600V,1.5A,8.1Ω,SingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET N-ChannelPowerMOSFET 600V,1.5A,8.1Ω,SingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?ON-resistanceRDS(on)1=180mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=490pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, 9A, 225m, Single TP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=180mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=490pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?ON-resistanceRDS(on)1=85mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1030pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 111m, Single TP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=85mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1030pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
24V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號(hào)：
3AX51A,
- 最大耗散功率：
0.1W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
NO
- vtest：
24
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.1
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
SFT1
- 制造商：
SYNSEMI
- 制造商全稱：
SYNSEMI
- 功能描述：
SUPER FAST RECTIFIER DIODES
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EIC |
23+ |
NA |
39960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+/25+ |
700 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
TO252 |
09+PB |
2255 |
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | |||
ON |
2020+ |
SOT252 |
100 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
SANYO |
2016+ |
TO252 |
6000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
S |
24+ |
TO251 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
1728+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
NA |
10658 |
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理QQ1304306553 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
SMD |
20000 |
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) |
