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SGB06N60	文件：396.84 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGB06N60	文件：790.17 Kbytes Page：11 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGB06N60_06	文件：790.17 Kbytes Page：11 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGB06N60ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 12A 68W TO263-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGD06N60	文件：346.41 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SKA06N60	文件：467.34 Kbytes Page：15 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKA06N60	文件：459.14 Kbytes Page：15 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor:Motorcontrols,Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60	文件：278.56 Kbytes Page：13 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60	文件：459.14 Kbytes Page：15 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor:Motorcontrols,Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60HS	文件：356.49 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB06N60HS	文件：1.1957 Mbytes Page：14 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP06N60	文件：467.34 Kbytes Page：15 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP06N60	文件：278.56 Kbytes Page：13 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SSRF06N60SL	文件：600.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SGB06N60
功能描述：
IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SGB06N60	英飛翎	17+	D2PAK(TO-263)	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SGB06N60	INFINEON	24+	P-TO263-3-2	8866		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	SGB06N60	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
上海意淼電子科技有限公司	SGB06N60	TOS	23+	SOP	50000	全新原裝假一賠十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SGB06N60	JINGDAO/晶導(dǎo)微	23+	SMA(DO-214AC)	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	SGB06N60	INFINEON/英飛凌	23+	PG-TO263-3	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	SGB06N60	INFINEON/英飛凌	22+	TO-247	15000	英飛凌MOS管、IGBT大量有貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SGB06N60	INFINEON	23+	PG-TO263-3	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	SGB06N60	INFINEON/英飛凌	22+	PG-TO263-3	90286		詢價(jià)
深圳市芯皇電子有限公司	SGB06N60	INFINEON/英飛凌	22+	TO-247	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)	詢價(jià)

更多SGB06N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 14:00:00

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