首頁>SGB20N60>詳情

SGB20N60_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A一線半導(dǎo)體3部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SGB20N60

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫存數(shù)量：

    16

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 15:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SGB20N60品牌：INFINEON

  • 芯片型號(hào)：

    SGB20N60

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    795.82 kb

  • 資料說明：

    Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SGB20N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

相近型號(hào)