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SGD02N60分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGD02N60
廠商型號

SGD02N60

參數(shù)屬性

SGD02N60 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 30W TO252-3

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.08647 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導體

中文名稱

微碧半導體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-25 16:58:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SGD02N60BUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,2A

  • 開關(guān)能量:

    64μJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    20ns/259ns

  • 測試條件:

    400V,2A,118 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO252-3-11

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 30W TO252-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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