SGD02N60分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SGD02N60 |
參數(shù)屬性 | SGD02N60 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 30W TO252-3 |
功能描述 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
1.08647 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
企業(yè)簡稱 |
VBSEMI【微碧半導體】 |
中文名稱 | 微碧半導體(臺灣)有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-25 16:58:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
SGD02N60BUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,2A
- 開關(guān)能量:
64μJ
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
20ns/259ns
- 測試條件:
400V,2A,118 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
PG-TO252-3-11
- 描述:
IGBT 600V 6A 30W TO252-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
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12245 |
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詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
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Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
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4500 |
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Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
7188 |
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Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
英飛凌 |
新批次 |
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1500 |
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INFINEON |
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