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SGD04N60 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SGD04N60參考圖片

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原廠料號(hào)：SGD04N60品牌：INFINEON

全新原裝假一賠十

SGD04N60是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝4A,600V,不帶D/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的SGD04N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    SGD04N60

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    347.72 kb

  • 資料說明：

    Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGD04N60BUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，4A

  • 開關(guān)能量：

    131μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    22ns/237ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，4A，67 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO252-3-11

  • 描述：

    IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    上海意淼電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    13681678667

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    021-61316768

  • 傳真：

    021-61316867/021-64560311

  • 地址：

    上海市寶山區(qū)大場(chǎng)鎮(zhèn)錦秋路699弄錦秋花園

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