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SGL50N60RUFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SGL50N60RUFD |
| 參數(shù)屬性 | SGL50N60RUFD 封裝/外殼為TO-264-3，TO-264AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A TO264-3 |
| 功能描述 | 600 V, 50 A Short Circuit Rated IGBT |
| 封裝外殼 | TO-264-3，TO-264AA |
| 文件大小 |
494.9 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-24 23:28:00 |
| 人工找貨 | SGL50N60RUFD價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SGL50N60RUFD規(guī)格書詳情
General Description
Fairchild?’s RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provide low conduction and switching
losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control,
uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.
Features
? 50 A, 600 V, TC= 100°C
? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.2 V @ IC= 50 A
? Typical Fall Time. . . . . . . . . .261ns at TJ= 125°C
? High Speed Switching
? High Input Impedance
? Short Circuit Rating
Applications
Motor control, UPS, General Inverter.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
SGL50N60RUFDTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，50A
- 開關(guān)能量：
1.68mJ（開），1.03mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
26ns/66ns
- 測(cè)試條件：
300V，50A，5.9 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-264-3，TO-264AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-264-3
- 描述：
IGBT 600V 80A TO264-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRC |
24+ |
TO-264 |
16800 |
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