SGM2013N中文資料索尼數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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Description
The SGM2013N is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including cellular/cordless phone.
Features
? Ultra-small package
? Low voltage operation
? Low noise NF = 1.4dB (Typ) at 900MHz, NF = 1.7dB (Typ) at 1.5GHz
? High gain Ga = 18dB (Typ) at 900MHz, Ga = 16dB (Typ) at 1.5GHz
? High stability
? Built-in gate protection diode
Application
UHF-band high-frequency amplifier and mixer
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SGM2013N
- 制造商:
SONY
- 制造商全稱:
Sony Corporation
- 功能描述:
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SONY/索尼 |
23+ |
NA/ |
1170 |
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SOT23-5 |
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SGM |
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SGMICRO |
24+ |
SOT23-5 |
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SGMICRO |
24+ |
SMD |
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詢價 | ||
SGMICRO |
23+ |
SOT23-5 |
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原廠原裝 |
詢價 | ||
SONY |
20+ |
SOT-143 |
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SGM |
19+ |
SOT23-5 |
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