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SGNMNC3205	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：電容器微調(diào)器，可變電容器描述：CAP TRIM 3-20PF 4500V CHAS MNT	Sprague-Goodman Sprague Goodman	Sprague-Goodman
SGNMNC3205EK	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：電容器微調(diào)器，可變電容器描述：CAP TRIM 3-20PF 4500V CHAS MNT	Sprague-Goodman Sprague Goodman	Sprague-Goodman
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SP3205	文件：639.68 Kbytes Page：5 Pages	LowCapacitanceESDProtection Description TheSP3205provideslowcapacitance,unidirectionalandahigh levelofprotectionforelectronicequipmentthatmayexperience destructiveelectrostaticdischarges(ESD).Thetypicalcapacitance of0.3pFhelpsensureexcellentsignalintegrityonthemost challengingconsumerele	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SP-3205	文件：343.38 Kbytes Page：5 Pages	DynamicSpeaker	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
SPM3205	文件：16.76 Kbytes Page：3 Pages	SPDTSwitch FeaturesandApplications ?Controlvoltage+3/0V. ?CPpackage.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
SVD3205F	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD3205S	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD3205STR	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD3205T	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVD3205T	文件：999.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SVI3205	文件：77.09 Kbytes Page：1 Pages	SVI3205B/StereoPowerAmplifier	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
SVI3205	文件：77.09 Kbytes Page：1 Pages	SVI3205B/StereoPowerAmplifier	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
SVI3205B	文件：77.09 Kbytes Page：1 Pages	SVI3205B/StereoPowerAmplifier	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
SVI3205B	文件：77.09 Kbytes Page：1 Pages	SVI3205B/StereoPowerAmplifier	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
SVT3205T	文件：998.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SW3205	文件：696.56 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWFC3205	文件：303.99 Kbytes Page：3 Pages	SingleWindowSingleModeWidebandFiberCoupler	OPLINK OPLINK Communications Inc.	OPLINK
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TPH3205WSBQA	文件：1.64273 Mbytes Page：13 Pages	AEC-Q101Qualified650VGaNFETinTO-247	TRANSPHORM Transphorm	TRANSPHORM

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
SGNMNC3205
制造商：
Sprague-Goodman
類別：
電容器 > 微調(diào)器，可變電容器
系列：
SGNM-Series 3
包裝：
散裝
電容范圍：
3 ~ 20pF
介電材料：
陶瓷
不同頻率時 Q 值：
600 @ 25MHz
大小 / 尺寸：
0.710" 直徑（18.03mm）
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
安裝類型：
底座安裝
特性：
非磁性，密封式
描述：
CAP TRIM 3-20PF 4500V CHAS MNT

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更多SGNMNC3205供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00

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