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SGP15N120分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGP15N120
廠商型號

SGP15N120

參數(shù)屬性

SGP15N120 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A 198W TO220-3

功能描述

Fast IGBT in NPT-technology
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3

文件大小

460.59 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-28 11:30:00

SGP15N120規(guī)格書詳情

SGP15N120屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGP15N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Fast IGBT in NPT-technology

? 40 lower Eoff compared to previous generation

? Short circuit withstand time – 10 μs

? Designed for:

- Motor controls

- Inverter

- SMPS

? NPT-Technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SGP15N120XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.6V @ 15V,15A

  • 開關能量:

    1.9mJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    18ns/580ns

  • 測試條件:

    800V,15A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 198W TO220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
2022+
N/A
57550
詢價
Infineon/英飛凌
2023+
PG-TO220-3
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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Infineon/英飛凌
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10000
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188600
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6820
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23+
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INFINEON/英飛凌
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