SGR15N40L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SGR15N40L |
參數(shù)屬性 | SGR15N40L 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 400V 45W DPAK |
功能描述 | General Description |
文件大小 |
169.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-23 10:49:00 |
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General Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applications
Features
? High input impedance
? High peak current capability (130A)
? Easy gate drive
Application
Strobe flash.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
SGR15N40LTM
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
8V @ 4.5V,130A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 400V 45W DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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