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SGS23N60UFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SGS23N60UFD
廠(chǎng)商型號(hào)

SGS23N60UFD
參數(shù)屬性

SGS23N60UFD 封裝/外殼為T(mén)O-220-3 整包；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A 73W TO220F
功能描述

High speed switching
封裝外殼

TO-220-3 整包
文件大小

600.37 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 23:00:00
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SGS23N60UFD規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UFD series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 42ns (typ.)

Application

AC & DC Motor controls, general purpose inverters, robotics, servo controls

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGS23N60UFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，12A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    115μJ（開(kāi)），135μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/60ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 73W TO220F

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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TO-247
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 詢(xún)價(jià)

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