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SGS6N60UFD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SGS6N60UFD |
參數(shù)屬性 | SGS6N60UFD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 6A 22W TO220F |
功能描述 | Ultra-Fast IGBT |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
590.55 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導體】 |
中文名稱 | 飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-5 13:00:00 |
SGS6N60UFD規(guī)格書詳情
General Description
Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UFD series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature..
Features
? High speed switching
? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A
? High input impedance
? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 35ns (typ.)
Application
AC & DC Motor controls, general purpose inverters, robotics, servo controls
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
SGS6N60UFDTU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,3A
- 開關(guān)能量:
57μJ(開),25μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
15ns/60ns
- 測試條件:
300V,3A,80 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商器件封裝:
TO-220F-3
- 描述:
IGBT 600V 6A 22W TO220F
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
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FAIRCHIL |
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TO-220F |
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