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SGT65R65AL中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SGT65R65AL
廠商型號

SGT65R65AL

功能描述

650 V, 49 mΩ typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

絲印標識

65R65A

封裝外殼

PowerFLAT

文件大小

646.11 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 16:54:00

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SGT65R65AL規(guī)格書詳情

Features

? Enhancement mode normally off transistor

? Very high switching speed

? High power management capability

? Extremely low capacitances

? Kelvin source pad for optimum gate driving

? Zero reverse recovery charge

Applications

? AC-DC converters

? AC-DC PSU for server and telecom

? LED illumination

? Uninterruptable power supplies (UPS)

Description

The SGT65R65AL is a 650 V, 25 A e-mode PowerGaN transistor combined with

a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides

extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching

operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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