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SGTN50A36FD

lnsulated Gate Bipolar Transistor

360V,50AHighSpeedPunchThroughIGBT Features ●Lowgatecharge ●PunchThroughTechnology ●Lowsaturationvoltage: VCE(sat)=1.6V(@IC=50A,TC=25?C) ●RoHScompliantproduct Applications ●Generalpurposeinverters ●PDP ●UPS

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
SILAN/士蘭微
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更多SGTN50A36FD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 11:09:00

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