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SGW20N60HS

Marking：G20N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: ??-parallelswitchingcapability ??-moderateEoffincreasewithtemperature ??-

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW20N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW20N60HSFKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 36A 178W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW20N60RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SKW20N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicatio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKW20N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKW20N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKW20N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60CFD

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPA20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SGW20N60HS

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
24+
TO-3P
20
詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
20+
PG-TO247-3
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
PG-TO247-3
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
INF
21+
TO-3P
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
2022+
TO-247
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
Infineon
/
N/A
8
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Infineon
2022+
N/A
57550
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
INFINEON
24+
TO-247
13164
詢價
更多SGW20N60HS供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 15:30:00

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