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SGW30N60

Fast IGBT in NPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

Fast IGBT in NPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60

Fast IGBT in NPT-technology

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SGW30N60HS

Marking：G30N60HS；Package：PG-TO-247-3；High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT NPT 600V 41A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGW30N60HSFKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 41A 250W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIHA30N60AEL

ELSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHB30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHF30N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHF30N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號：

    SGW30N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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標準封裝
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原廠渠道供應,大量現貨,原型號開票。
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TO247-3
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百分百原裝正品 真實公司現貨庫存 本公司只做原裝 可
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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更多SGW30N60供應商 更新時間2025-1-23 10:33:00

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