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SGW50N60HS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SGW50N60HS
廠商型號(hào)

SGW50N60HS

參數(shù)屬性

SGW50N60HS 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 100A 416W TO247-3

功能描述

High Speed IGBT in NPT-technology
IGBT 600V 100A 416W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

331.07 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-6 11:40:00

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SGW50N60HS規(guī)格書(shū)詳情

SGW50N60HS屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGW50N60HS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

?30 lower Eoffcompared to previous generation

?Short circuit withstand time – 10 μs

?Designed for operation above 30 kHz

?NPT-Technology for 600V applications offers:

- parallel switching capability

- moderate Eoffincrease with temperature

- very tight parameter distribution

? High ruggedness, temperature stable behaviour

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1 for target applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SGW50N60HSFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.15V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.96mJ

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    47ns/310ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,6.8 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 600V 100A 416W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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專(zhuān)注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定
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專(zhuān)營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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