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SH32N65DM6AG

Automotive-grade N-channel 650 V, 89 m typ., 32 A MDmesh DM6 half?bridge topology Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package

Features ?AQG324qualified ?Half-bridgepowermodule ?650Vblockingvoltage ?Fastrecoverybodydiode ?Verylowswitchingenergies ?Lowpackageinductance ?Diceondirectbondcopper(DBC)substrate ?Lowthermalresistance ?Isolationratingof3.4kVrms/min Description This

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SH32N65DM6AG

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STHU32N65DM6AG

Automotive-gradeN-channel650V,83mtyp.,37AMDmeshDM6PowerMOSFETinanHU3PAKpackage

Features ?AEC-Q101qualified ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)xareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelydv/dtruggedness ?Zener-protected ?Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingsou

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STWA32N65DM6AG

Automotive-gradeN-channel650V,83mtyp.,37AMDmeshDM6PowerMOSFETinaTO-247longleadspackage

Features ?AEC-Q101qualified ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETis

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SH32N65DM6AG

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述：

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多SH32N65DM6AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 10:10:00

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