首頁>Si1330EDL-T1-GE3>詳情

Si1330EDL-T1-GE3_CCS_MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3宇創(chuàng)芯科技

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 廠家型號：

    Si1330EDL-T1-GE3

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    CCS

  • 庫存數量：

    9600

  • 產品封裝：

    SC70-3

  • 生產批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-2-24 15:16:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：Si1330EDL-T1-GE3品牌：CCS

原裝現貨,優(yōu)勢供應,支持實單!

  • 芯片型號：

    SI1330EDL-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導體（臺灣）有限公司

  • 內容頁數：

    8 頁

  • 文件大小：

    1013.61 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    Si1330EDL-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯系人：

    李小姐

  • 手機：

    15889311978

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83220081

  • 傳真：

    0755-82799659

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路南側南光捷佳大廈1727

相近型號