SI1965DH-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V維爾達(dá)電子

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SI1965DH-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    80000

  • 產(chǎn)品封裝:

    SC70-6

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2023+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-10-26 17:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):SI1965DH-T1-E3品牌:VISHAY

一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品

  • 芯片型號(hào):

    SI1965DH-T1-E3

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    7 頁(yè)

  • 文件大小:

    140.92 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SI1965DH-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市維爾達(dá)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    連先生

  • 手機(jī):

    13544094624

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83465779

  • 傳真:

    0755-83465779

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318