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SI2301中文資料美科半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI2301
廠商型號(hào)

SI2301
功能描述

High dense cell design for extremely low RDS(ON)
文件大小

109.86 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MAKOSEMI【美科半導(dǎo)體】

中文名稱

美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2024-10-25 14:21:00

SI2301規(guī)格書詳情

Plastic-Encapsulate Mosfets

FEATURES

? High dense cell design for extremely low RDS(ON)

? Rugged and reliable

? Case Material: Molded Plastic.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SI2301

  • 功能描述：

    MOSFET -20V -2.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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