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SI2306BDS-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI2306BDS-T1-GE3
廠商型號

SI2306BDS-T1-GE3

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件大小

112.67 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-20 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI2306BDS-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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VISHAY/威世
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