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SI2309ADS-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI2309ADS-T1-GE3
廠商型號

SI2309ADS-T1-GE3

功能描述

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.12233 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

SI2309ADS-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

? P-Channel

? 175 °C Operating Temperature

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

? Lead (Pb)-free Available

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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