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SI2312BDS-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI2312BDS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
24+
SOT-23
45000
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
VISHAY/威世
23+
SOT-23
24000
原裝進口、正品保障、合作持久
 詢價
VISHAY
16+
SOT-23
15600
進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢!
 詢價
VISHAY
21+
SOT-23
30000
全新原裝公司現(xiàn)貨
詢價
VISHAY
21+
SOT-23-3 (TO-236)
12000
原裝正品 有掛有貨
 詢價
VISHAY
21+
12000
SOT-23-3 (TO-236)
 詢價
VISHAY/威世
21+
SOT-23
8080
只做原裝,質量保證
 詢價
VISHAY
23+
SOT-23
30000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
VISHAY/威世
24+
SOT-23
1210
原廠授權代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
VISHAY/威世
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
更多SI2312BDS-T1-GE3供應商 更新時間2025-1-22 16:26:00

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