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SI2318CDS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET深圳達(dá)恩科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI2318CDS-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市達(dá)恩科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
17608451391
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23917962
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲國(guó)利大廈1515
相近型號(hào)
- SI2318CDSFET
- SI2318DS
- SI2318CDS
- SI2318DS1
- SI2318BDS-T1-GE3
- SI2318DS-T1
- SI2318BDS-T1-E3IC
- SI2318DS-T1-BE3
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- SI2318A-TP
- SI2318DS-T1-E3
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- SI2318DS-T1-E3/BKN
- SI2318ADS-T1-G
- SI2318DS-T1-E3/C8
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- SI2318DS-T1-E3-MS
- SI2318DST1GE3
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- SI2318DS-T1-GE3-VB
- SI2317DS
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- SI2318DS-TI-E3
- SI2317
- SI2318DS-TI-ES
- SI2316DS-T1-GE3
- SI2318-T
- SI2316DST1GE3
- SI2319
- SI2319A
- SI2316DS-T1-E3MOS()
- SI2319ADS-T1-BE3
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- SI2319ADS-T1-G
- SI2316DS-T1-E3-HXY
- SI2319ADS-T1-GE3
- SI2319ADS-T1-GE3IC
- SI2316DS-T1-E3
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