訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
SI2319CDS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET納艾斯
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI2319CDS-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市納艾斯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖小姐
- 手機:
13117514091
- 詢價:
- 電話:
0755-/82781136/2707495
- 傳真:
0755-82707495
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路賽格大廈5803A
相近型號
- SI2319DDS-T1-GE3
- SI2319C95TF
- SI2319ADS-T1-GE3IC
- SI2319ADS-T1-GE3
- SI2319DS
- SI2319ADS-T1-G
- SI2319DS/T1-F3
- SI2319ADS-T1-BE3
- SI2319DS1
- SI2319A
- SI2319DS-T1
- SI2319
- SI2318-T
- SI2319DS-T1/C9
- SI2319DS-T1-BE3
- SI2319DST1E3
- SI2318DS-TI-ES
- SI2319DS-T1-E3
- SI2318DS-TI-E3
- SI2319DS-T1-E3/C9
- SI2319DS-T1-E3IC
- SI2318DS-T1-GE3-VB
- SI2318DS-T1-GE3
- SI2319DST1GE3
- SI2318DST1GE3
- SI2319DS-T1-GE3
- SI2318DS-T1-E3-MS
- SI2318DS-T1-E3/C8
- SI2319DS-T1-GE3-VB
- SI2318DS-T1-E3/BKN
- SI2318DS-T1-E3
- SI2318DST1E3
- SI2319DS-TI-E3
- SI2318DS-T1-BE3
- SI2318DS-T1
- SI2318DS1
- SI2320
- SI2318DS
- SI2320DS
- SI2318CDS-T1-GH3
- SI2320DS-T1
- SI2320DS-T1-E3
- SI2318CDS-T1-GE3-VB
- SI2320DS-T1-E3IC
- SI2318CDS-T1-GE3IC
- SI2320DS-T1-GE3
- SI2318CDS-T1-GE3FET
- SI2318CDS-T1-GE3
- SI2318CDST1GE3
- SI2321